METODE PELAPISAN ZrV UNTUK MENURUNKAN SUHU AKTIVASI MATERIAL PENYIMPAN HIDROGEN
Paten
METODE PELAPISAN ZrV UNTUK MENURUNKAN SUHU AKTIVASI MATERIAL PENYIMPAN HIDROGEN
Invensi ini berkaitan dengan metode pelapisan Zirkonium Vanadium (ZrV) pada Zirkonium sebagai material penyimpan hidrogen (hydrogen storage) untuk menurunkan suhu aktivasi pada katoda sumber ion siklotron. Tujuan utama dari invensi ini adalah untuk mengatasi permasalahan yang telah ada sebelumnya dan tujuan khususnya yaitu menyediakan material katoda dengan kemurnian tinggi dan menurunkan suhu aktivasi hidrida logam sebagai bahan katoda sumber ion siklotron. Material katoda dengan lapisan tipis ZrV dapat menyerap dan melepaskan hidrogen dengan suhu lebih rendah jika dibandingkan dengan Zr tanpa lapisan. Pelapisan dilakukan menggunakan metode sputtering. Metode pelapisan ZrV untuk material penyimpan hidrogen pada katoda sumber ion siklotron menggunakan teknik sputtering meliputi cara mendeposisikan lapisan tipis ZrV pada bahan Zr, karakterisasi komposisi unsur lapisan, analisis struktur kristal dan uji aktivitas adsorbsi dan desorbsi hidrogen pada lapisan.
P00202406514
15 Juli 2024
2024
2024-1719209334-h9rh
B-2736/III.2.2/FR.04.00/6/2024
Pusat Riset Teknologi Akselerator
ihwa002@brin.go.id
Badan Riset dan Inovasi Nasional
Paten Biasa
Kimia Material
5
0
-
- Ihwanul Aziz
( Pusat Riset Teknologi Akselerator ) - Azza Alifa Muhammad
( Pusat Riset Teknologi Akselerator ) - Anang Susanto
( Pusat Riset Teknologi Akselerator ) - Rizky Fajarudin
( Pusat Riset Teknologi Akselerator ) - Emy Mulyani
( Pusat Riset Teknologi Akselerator ) - Idrus Abdul Kudus
( Pusat Riset Teknologi Akselerator ) - Silakhuddin
( Pusat Riset Teknologi Akselerator )
- Prof. Sholihun, S.Si., M.Sc., Ph.D.Sc
( Departemen Fisika UGM )