PROSES PEMBUATAN SEL SURYA PEROVSKIT STRUKTUR TERBALIK (P-I-N) DARI LAPISAN TIPIS MAPbI3
Paten
PROSES PEMBUATAN SEL SURYA PEROVSKIT STRUKTUR TERBALIK (P-I-N) DARI LAPISAN TIPIS MAPbI3
Invensi ini berkaitan dengan pembuatan perovskite solar cell (PSC) dengan struktur terbalik (p-i-n) dan perovskit sebagai lapisan aktif. Invensi ini mengenai suatu sel surya berbasis PSC yang terdiri atas beberapa lapisan, yaitu hole transport layer (HTL) yang dideposisi diatas substrat konduktif, lapisan aktif perovskit methylammonium lead iodide (MAPbI3) yang dideposisikan menggunakan variasi penundaan annealing termal, lapisan electron transport layer (ETL) untuk memaksimalkan ekstraksi elektron dan hole blocking layer (HBL) sebagai pemblokir hole dan lapisan buffer yang melindungi ETL dari proses evaporasi katoda, serta elektroda katoda sebagai kontak untuk ekstraksi muatan elektron. Pembuatan PSC dengan struktur terbalik dan penundaan proses annealing termal MAPbI3 memiliki keunggulan dari segi waktu pembuatan dan langkah deposisi yang lebih simpel dan dapat dipembuatan pada suhu rendah.
P00202414524
06 Desember 2024
2024
2024-1726355211-mp4i
-
Pusat Riset Elektronika
yuliar.firdaus@brin.go.id
- Yuliar Firdaus
( Pusat Riset Elektronika ) - Shobih
( Pusat Riset Elektronika ) - Widhya Budiawan
( Pusat Riset Elektronika )
- Erdin Almuqoddas
( Institut Teknologi Bandung ) - Setiyadi Tri Utomo
( Universitas Sebelas Maret )