METODE PEMBUATAN LAPISAN TIPIS PEROVSKIT MAPbI₃ DENGAN PENAMBAHAN ADITIF POLIMER DONOR PADA PROSES ANTISOLVEN
Paten
METODE PEMBUATAN LAPISAN TIPIS PEROVSKIT MAPbI₃ DENGAN PENAMBAHAN ADITIF POLIMER DONOR PADA PROSES ANTISOLVEN
Invensi ini mengenai metode pembuatan lapisan tipis perovskit. Invensi ini berupa suatu metode pembuatan lapisan tipis perovskit MAPbI₃ dengan penambahan aditif polimer donor pada antisolven yang dimulai dari persiapan substrat kaca konduktif, yaitu kaca berlapis fluorine-doped tin oxide (FTO) atau indium tin oxide (ITO). Substrat dibersihkan bertahap dengan ultrasonikasi dalam larutan berbasis air, air deionisasi, aseton, dan isopropanol masing-masing 15 menit, kemudian dikeringkan menggunakan nitrogen bertekanan. Selanjutnya, substrat diproses UV-ozone selama 15 menit untuk menghilangkan residu organik. Lapisan pengangkut elektron berupa SnO₂ ideposisikan melalui spin-coating di luar glovebox, sedangkan lapisan aktif MAPbI₃ dideposisikan dengan teknik serupa di dalam glovebox. Pada proses deposisi MAPbI₃, antisolven yang mengandung aditif polimer diteteskan 20 detik sebelum spin-coating berakhir. Setelah deposisi selesai, perlakuan panas (annealing) pada 100°C dilakukan dengan jeda beberapa detik terlebih dahulu. Sebagai tahap akhir, pasta karbon diaplikasikan sebagai elektroda belakang menggunakan metode blade-coating.
P00202509599
29 September 2025
2025
2025-1750735162-qygf
-
Pusat Riset Elektronika
yuliar.firdaus@brin.go.id
- Yuliar Firdaus
( Pusat Riset Elektronika ) - Widhya Budiawan
( Pusat Riset Elektronika ) - Mohamad Insan Nugraha
( Pusat Riset Sistem Nanoteknologi )
- Setiyadi Tri Utomo
( Universitas Sebelas Maret )